美國毫米波GaN成熟,第二階段正在計劃
美國軍事研究人員要求位于加利福尼亞州馬里奧的HRL實驗室的集成電路專家改進用于航空航天和國防應用的射頻和微波電路。
(DARPA)位于弗吉尼亞州阿靈頓的國防高級研究計劃局(DARPA)的官員最近宣布,為毫米波GaN成熟計劃(MGM)的第二階段,將對HRL進行840萬美元的合同修訂。
該項目旨在改進射頻和微波半導體技術,以提高器件產量,縮短工藝周期,并演示關鍵毫米波功率放大器和多項目晶片處理(MPW)中的混合信號電路。
米高梅正在使用標準評估電路(SEC)、過程控制監視器(PCM)和短周期制造技術來確定戰略產量和重復性,以確定工藝步驟的改進。
在項目的第一階段,HRL專家開始成熟他們的射頻和毫米波氮化鎵(GaN)半導體技術,十年前DARPANitrideElectronicsNeXt發電技術(Next)項目就證明了這一點。
該項目的第二階段旨在縮短制造周期,提高射頻生產和可靠性,改進器件模型和工藝設計工具包,并提高GaN毫米波電路的制造準備水平。
HRL專家將通過有針對性的工藝步驟使這一GaN技術成熟。他們將使用過程控制監視器;運行多個MPW操作;以及提高該公司位于加利福尼亞州馬里奧的工廠的單芯片微波集成電路的(MMIC)設計能力。
作為DARPANEXT程序的執行者,HRL開發了最先進的GaN晶體管,柵極長度為40 nm,并將ft/FMAX定標為200/400 GHz。
下一步計劃開發一種革命性的氮化物晶體管技術,在至少1000個晶體管的大規模電路集成中,為強生約翰遜-梅里特(JFoM)開發一種具有極高速度和高電壓波動的革命性氮化物晶體管技術。
該項目旨在開發制造、高產量、高一致性和高可靠性的制造工藝。該計劃的重點是展示將這些器件組合成一個由大約10個晶體管組成的小邏輯電路的能力,然后再加工多達1000個晶體管。
在米高梅項目的第一階段,HRL更新了設計套件,以支持各種計算機輔助設計(CAD)工具,支持多項目振動臺操作,并縮短整個制造周期以支持美國軍事用戶。
該合同的修訂使米高梅的合同總價值達到1880萬美元。人力資源公司的專家將在加利福尼亞州的馬里奧完成這項工作,并將于2022年9月完成。